CHIP di 2V 350MA 0.67W CERAMIC3030 70-100LM 620-632NM SMD LED PER illuminazione del giardino di architettura (LED & laser)
robustezza superiore, alta affidabilità, vita lunga, resistenza termica bassa. Perfettamente indirizzare le applicazioni che richiedono per l'alta efficienza ed il pacchetto ceramico di SMT di requisito lungo di vita con la lente del silicone
Radiazione: 80° ESD: un CRNA di 8 chilovolt. a flusso luminoso di ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B): tipo. efficienza luminosa di 85 lm: tipo. 115 lm/W
Valutazioni massime
Parametro Simbolo Valori
| Temperatura di funzionamento |
Cima
|
minuto.
massimo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura di stoccaggio |
Tstg
|
minuto.
massimo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura di giunzione |
T |
massimo. |
°C 135 |
| Corrente di andata |
Io |
minuto.
massimo.
|
100 mA
1000 mA
|
|
Punta di corrente
µs del ≤ 10 di t; D = 0,005; TJ = °C 25
|
FS |
massimo. |
1500 mA |
| Tensione inversa 2) |
V |
|
Non progettato per l'operazione inversa |
|
Il ESD resiste alla tensione
CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B)
|
ESD |
|
8 chilovolt |
Caratteristiche
I = 700 mA; TJ = °C 25
Parametro Simbolo Valori
| Lunghezza d'onda di picco |
λpeak tipo. 6340 nanometro |
|
Lunghezza d'onda baricentrica 3)
I = 350 mA
|
λdom minuto 620 nanometro
tipo. 623 nanometro
massimo 632 nanometro
|
|
|
|
| Larghezza di banda spettrale a rel, massimo |
∆λ tipo. 16 nanometro |
| Angolo di visione a 50% IV |
2φ tipo. ° 80 |
|
Tensione di andata 4)
I = 350 mA
|
1.8V
2.00V
2.30V
|
| 2) corrente inverso |
Non progettato per l'operazione inversa |
| Giunzione elettrica/solderpoint di resistenza termica con il ηe di efficienza = 74% |
RthJS elettrico tipo. 2,5 K/W |
Gruppi di tensione di andata
Tensione di andata del gruppo 4)
I = 350 mA
| 70 lm |
75 lm |
|
75 lm
|
82 lm |
| 82 lm |
90 lm |
| 90 lm |
100 lm |
Centroide
Gruppo
Lunghezza d'onda baricentrica 3)
I = 350 mA
λcentroid
Emissione spettrale relativa
Irel = f (λ); SE = 350 mA; TJ = °C 25
Caratteristiche di radiazione
Irel = f (ϕ); TJ = °C 25
Disegno dimensionale
Ulteriore informazione:
Peso approssimativo: 28,0 mg
Marcatura del pacchetto: Anodo
Prova di corrosione: Classe: stato 3BTest: RH/15 PPM di 40°C/90% di H2S/più rigoroso 14 giorni (dell'IEC 60068-2-43)
Consiglio di ESD: Il dispositivo è protetto dal dispositivo di ESD che è collegato parallelamente al chip.
Profilo di saldatura di riflusso
Il prodotto aderisce al CRNA del Livello 2 di MSL. a JEDEC J-STD-020E
Caratteristica di profilo Simbolo Assemblea senza Pb (di SnAgCu) Unità
Massimo minimo di raccomandazione
|
Arrampichi il tasso a preheat*) 2
°C 25 a °C 150
|
3 |
K/s |
|
st 60 100
T - T
|
120 |
s |
|
Arrampichi il tasso a peak*)
T - T 2
|
3 |
K/s |
| Temperatura TL di Liquidus 217 |
|
°C |
| Tempo sopra la temperatura tL di liquidus 80 |
100 |
s |
| Temperatura di punta T 245 |
260 |
°C |
|
Tempo all'interno di °C 5 del picco specificato 10 20
temperatura TP - 5 K
|
30 |
s |
|
Rate* della rampa-giù 3
T a °C 100
|
6 |
K/s |
|
Tempo
°C 25 al TP
|
480 |
s |
Tutte le temperature si riferiscono al centro del pacchetto, misurato sulla cima della componente * il calcolo DT/Dt del pendio: Massimo 5 s di distacco; adempimento per l'intera T-gamma
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