CHIP di 3V 700MA 2W CERAMIC3030 390-400LM SMD LED PER PLANTLIGHTING
Caratteristica
(660 nanometro) le versioni blu scuro (450 nanometro) ed ultra rosse forniscono la luce richiesta per la fotosintesi
La versione di infrarosso lontano (730 nanometro) può controllare l'intero processo delle piante da germinazione alla crescita vegetativa e poi al flowerin
La luce bianca di EQ può realizzare il diagramma di radiazione innovatore umanizzato di rendimento energetico di alta energia del luogo di lavoro (massimo corrente dell'azionamento di massimo del μ mol/J), unico. Accoppiato con una soluzione su misura del fosforo, questo ultimo LED illumina anche le piante per la crescita uniforme mentre facilita l'aumento dei fotoni rossi non convertiti per consegnare l'efficacia livellata del dispositivo superiore.
Ulteriormente, questo LED ad alta potenza fornisce l'affidabilità eccellente, la vita della ONG, la robustezza provata ed il termale basso
Valutazioni massime
Valori di simbolo di parametro
| Temperatura di funzionamento |
T
op
|
minuto.
massimo.
|
-40 °C
°C 120
|
| Temperatura di stoccaggio |
T
stg
|
minuto.
massimo.
|
-40 °C
°C 120
|
| Temperatura di giunzione |
T |
massimo. |
°C 135 |
| Absolute* di temperatura di giunzione |
Tjabs |
massimo. |
°C 150 |
| Corrente di andata |
Io |
minuto.
massimo.
|
100 mA
1800 mA
|
|
Punta di corrente
µs del ≤ 10 di t; D = 0.005%; TJ = °C 25
|
FS |
massimo. |
2000 mA |
| Tensione inversa 2) |
V |
|
Non progettato per l'operazione inversa |
|
Il ESD resiste alla tensione
CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B)
|
ESD |
|
8 chilovolt |
Ciò è verificata verificando 30 pezzi. Criteri del passaggio: Nessun guasto catastrofico permesso, flusso luminoso deve essere migliore di L70B50 dopo il H. 1000.
Caratteristiche
I = 700 mA; TJ = °C 25
Parametro Simbolo Valori
| Angolo di visione a 50% IV |
2φ tipo. ° 140 |
|
Tensione di andata 4)
I = 700 mA
|
VF minuto 2,80 V
tipo. 2,90 V
massimo 3,20 V
|
| 2) corrente inverso |
IR Non progettato per l'operazione inversa |
| Giunzione elettrica/solderpoint di resistenza termica con il ηe di efficienza = 65% |
RthJS elettrico tipo. 1,6 K/W |
Gruppi di tensione di andata
Tensione di andata del gruppo 4)
I = 700 mA
VF:
| 2.8v |
2.9v |
| 2.9v |
3.0v |
| 3.0v |
3.1v |
| 3.1v |
3.2v |
Emissione spettrale relativa
Irel = f (λ); SE = 700 mA; TJ = °C 25
Caratteristiche di radiazione
Irel = f (ϕ); TJ = °C 25
Disegno dimensionale
Ulteriore informazione: 29,0 mg
Peso approssimativo: Marcatura del pacchetto: Catodo
Prova di corrosione: Classe: 3B
Condizione di prova: RH/15 PPM di 40°C/90% di H2S/più rigoroso 14 giorni (dell'IEC 60068-2-43)
Consiglio di ESD: Il dispositivo è protetto dal dispositivo di ESD che è collegato parallelamente al chip.
Profilo di saldatura di riflusso
Il prodotto aderisce al CRNA del Livello 2 di MSL. a JEDEC J-STD-020E
Caratteristica di profilo Simbolo Assemblea senza Pb (di SnAgCu) Unità
Massimo minimo di raccomandazione
|
Arrampichi il tasso a preheat*) 2
°C 25 a °C 150
|
3 |
K/s |
|
st 60 100
T - T
|
120 |
s |
|
Arrampichi il tasso a peak*) 2
T - T
|
3 |
K/s |
| Temperatura TL di Liquidus 217 |
|
°C |
| Tempo sopra la temperatura tL di liquidus 80 |
100 |
s |
| Temperatura di punta T 245 |
260 |
°C |
|
Tempo all'interno di °C 5 del picco specificato 10 20
temperatura TP - 5 K
|
30 |
s |
|
Rate* della rampa-giù 3
T a °C 100
|
6 |
K/s |
|
Tempo
°C 25 al TP
|
480 |
s |
Tutte le temperature si riferiscono al centro del pacchetto, misurato sulla cima della componente * il calcolo DT/Dt del pendio: Massimo 5 s di distacco; adempimento per l'intera t
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